太阳城3注册:中芯国际:大唐及国家集成电路基金不行使优先认购权

作者:admin发表时间:2020-06-03 10:08:48

韩国5月半导体出口额时隔18个月由负转正!

据钜亨网报道,韩国产业通商资源部今(1)日发布的报告显示,受新冠肺炎的影响,韩国5月出口额348.6亿美元,同比下降23.7%。

据悉,因新冠疫情在全球蔓延,各国采取的封锁措施冲击了韩国的海外需求,出口额已连续3个月下降。

对此,韩国产业部分析认为近期出口不振并非结构性问题,有望随主要出口对象国的经济复苏而反弹。其中芯片出口表现相对较佳,中国的 PC 制造商恢复生产,随着人们远程办公和线上教育,对电脑的需求也在全球范围内上升;另一方面,汽车下降了 54.1%至 18 亿美元。

从出口项目来看,韩国半导体出口时隔18个月由负转正,出口总额和日均出口额分别增长 7.1% 和 14.5%,诊断试剂盒等生物保健、电脑等非接触式产品出口表现良好。

南亚科技:DRAM合约价格三季度仍将继续上涨

5月31日消息,据国外媒体报道,研究机构此前公布的数据显示,虽然一季度主要DRAM厂商的销售额环比下滑,但全球DRAM产品的价格却有上升。

而DRAM厂商南亚科技预计,由于居家经济对相关设备的需求依然强劲,对DRAM的需求也依然会保持强劲,DRAM的合约价格,在今年三季度仍将继续上涨。

预计DRAM合约价格继续上涨,也就意味着DRAM厂商的营收,将不断提升,DRAM的市场规模也将不断扩大。

南亚科技官网的信息显示,他们在4月份的营收为56.2亿新台币,折合约1.88亿美元,创下近18个月新高,同比增长高达36.7%。

DRAM市场方面,研究机构此前公布的数据显示,一季度全球DRAM的市场规模为148亿美元,平均价格上涨了4.6%。

预计2021年量产 传SK海力士将在1anm DRAM中引入EUV技术

在当前因为市场不确定因素增加,以及新冠肺炎疫情恐将影响存储器后续市场发展的情况下,主要存储器厂商皆不轻易扩增产能,反而以优化制程技术的方式来增加其供应的能力。因此,根据韩国媒体报导,存储器大厂SK海力士(SK Hynix)的相关内部人士透露,该公司已开始研发第4代10纳米级制程(1a)的DRAM,内部代号为“南极星”(Canopus),而且预计将在制程中导入EUV曝光技术。

报导指出,目前SK海力士最先进的DRAM产品主要以10纳米等级的1Y及1Z制程技术为主,这是属于第2代及第3代的10纳米等级制程。该公司计划在2020年下半年将这两种制程技术的生产比重提高到40%。此外,SK海力士还将继续发展新一代的DRAM制程技术。

报导进一步强调,“南极星”(Canopus)将是SK海力士至今的最关键发展计划之一,因为这是该公司首度应用EUV曝光技术来生产DRAM。不过,报导也引用韩国一位消息人士的说法指出,目前SK海力士当下最重要的问题,是公司是能否透过使用EUV曝光技术来确保其产品的有效竞争力。

事实上,之前有媒体报导指出,SK海力士的竞争对手三星已在2020年3月份宣布,已出货了100万个由第4代10纳米等级,内含EUV曝光技术所生产的DDR4 DRAM模组,并预计将在2021年开始正式大量生产,而且,未来该公司接下来的几代的DRAM产品将会全面导入EUV曝光技术,这消息对SK海力士来说将会是充满着竞争性。因此,SK海力士计划旗下的首款第4代10纳米等级DRAM将在2021年推出,这也将使得届时以EUV曝光技术的存储器生产市场竞争将更加激烈。

中芯国际:大唐及国家集成电路基金不行使优先认购权

6月1日消息,中芯国际发布公告称,公司获大唐电信科技产业控股有限公司(以下简称“大唐”)及国家集成电路产业投资基金股份有限公司(以下简称“国家集成电路基金”)各自告知,彼不会行使有关人民币股份发行的优先认购权。

公告显示,大唐及国家集成电路基金的联属公司正考虑以战略投资者身份参与建议人民币股份发行。该等参与一旦确认,将受限于上市规则的适用规定(包括但不限于与关连交易的规定(如适用))。公司将适时根据上市规则的规定另行作出披露。

促进300mm大硅片项目二期发展 沪硅产业拟收购上海新昇剩余股权

5月31日,上海硅产业集团股份有限公司(以下简称“沪硅产业”)发布公告称,拟收购上海新阳半导体材料股份有限公司(以下简称“上海新阳”)持有的上海新昇半导体科技有限公司(以下简称“上海新昇”)1.5%的股权。

根据公告,沪硅产业与上海新阳于5月29日签署了《股权转让协议》,沪硅产业拟以现金2995.8912万元收购上海新阳持有的上海新昇1.5%的股权。

根据官方介绍,新昇半导体第一期目标致力于在我国研究、开发适用于40-28nm节点的300mm硅单晶生长、硅片加工、外延片制备、硅片分析检测等硅片产业化成套量产工艺;建设300毫米半导体硅片的生产基地,实现300毫米半导体硅片的国产化,充分满足我国极大规模集成电路产业对硅衬底基础材料的迫切要求。

在股东方面,天眼查信息显示,上海新昇股东由沪硅产业和上海新阳两家公司组成,其中沪硅产业认缴注册资本76830万元,持股98.5%,上海新阳认缴注册资本1170万元,持股1.5%。

本次交易完成后,沪硅产业将持有上海新昇100%的股权。沪硅产业表示,这将有利于其贯彻公司的战略决策和经营理念,提高其运营和决策管理效率,实现公司整体资源有效配置,促进上海新昇加快实施集成电路制造用300mm硅片技术研发与产业化二期项目和长期稳定发展。

美国打压华为致3nm工艺延期半年?台积电:一切正常

最近半导体市场上风云波诡,美国封禁华为、全球疫情导致经济下滑等因素影响着半导体发展前景,此前有传闻称台积电因此延期先进制程工艺,其中3nm延期了半年到明年Q1季度才试产,不过官方否认了这一消息。

台积电3nm是5nm之后的下一代节点,官方信息显示3nm工艺晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm?,而5nm工艺不过是1.8亿/mm2,而3nm性能较5nm提升7%,能耗比提升15%。

工艺上,台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳,所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。

日前有传闻称,美国打压华为,导致先进工艺需求放缓,台积电不仅减少了7nm、5nm工艺的产能,同时3nm工艺也延期2个季度,到2021年Q3季度才会风险试产,整体进度也会因此晚上半年

不过台积电今天否认传闻,表示一切按照计划进行,3nm工艺如期在2021年Q1季度试产,2022年下半年正式量产。

1200吨钢材焊接拼成“管桥”,武汉弘芯芯片厂房主动脉打通

5月28日,被称作芯片厂房主动脉的“117管桥”顺利完工。这为武汉弘芯半导体制造项目一期工程奠定了坚实基础。

武汉弘芯半导体制造项目位于东西湖区临空港经济技术开发区。项目建成后,将汇聚来自全球半导体晶圆研发与制造领域的精英团队,为我国日益强大的电子科技业与芯片设计业,构建国内半导体逻辑工艺及晶圆级封装先进的“集成系统”生产线。一冶钢构负责承建一期工程的钢结构制作安装任务。

“117管桥贯通103芯片厂房、104动力厂房和105库房,是连接弘芯半导体项目芯片厂房的主动脉。”一冶钢构相关技术负责人说,所有钢构件都是在一冶钢构阳逻基地做好,运到东西湖现场焊接、拼装。

“117管桥是钢结构框架,由钢柱、钢梁、桁架、水平支撑、撑杆等组成,总用钢量1200吨。管桥呈双T型,全长294米,宽114米,最高6层,最大跨度21米。”该负责人说,虽然因为疫情影响,工程停工了一段时间,但复工以后,项目部克服困难,提前策划并采取提前插入、交叉作业等综合措施,确保关键线路有序推进。

2021年量产 三星拟投建新NAND Flash生产线

6月1日,三星电子 (Samsung Electronics) 宣布,将在京畿道平泽工业园区投建先进的NAND Flash闪存生产线。该扩建工程于今年5月开始,将为2021年下半年大规模生产三星的尖端V-NAND存储器铺平道路。

据三星官方消息指出,新工厂位于韩国平泽2号线内,计划于2021年2月量产,将专门用于制造三星最先进的V-NAND存储器。

在不久前,5月21日,三星电子官方宣布了将在平泽市再投建一条全新的晶圆代工生产线,以满足全球对极紫外光刻技术 (EUV) 的需求。时隔10天,三星再次宣布新的NAND Flash产线投资计划。

虽然官方暂未公布具体投资金额,但业界推测该新晶圆代工生产线和NAND生产线的投资规模,或分别达到10万亿和8万亿韩元。

三星电子表示,此次投资旨在应对随着人工智能 (AI)、物联网 (IoT) 、以及5G的普及而带来的NAND需求。业者认为,三星电子近期连续宣布的投资计划,尤其是在目前新冠疫情重创全球经济的情况下,反映出其欲在全球闪存市场继续拉大优势的决心。

目前,EUV晶圆代工生产和NAND闪存生产所需的洁净室已在着手建设中,争取在2021年下半年可以投产5纳米EUV芯片及V-NAND闪存产品。


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